记忆体薄膜制作技术

公司名称：
ICT材料配件研究所
技术名称:
记忆体薄膜制作技术
技术介绍：
采用记忆体强流体薄膜粘附技术，采用新一代神经元件或新一代记忆体核心材料（Hf,Zr）O2强流体薄膜的冲刷方法的大面积粘附技术。
技术亮点：
本技术采用"记忆体元件用（Hf,Zr）O2强流体薄膜制作技术"的loser sputting工艺，可大面积制作，同时与目前最常用的强流体薄膜SBT或PZT相比，在薄层中也具有强流电性，除了适用于新罗莫菲元件之外，还可预见新一代非挥发性存储元件的应用。