쇼밍

쇼밍, 남, 1977년 9월 후베이에서 태어났다.교수, 박사과정 강사.여러 해 동안 국제 미래 지향적인 실리콘 소재 중의 단일 전자 스핀 양자 비트의 연구를 통해 몇 가지 특색 있는 혁신적 과학 연구 성과를 내왔다. 서브마이크론 실리콘 MOS 부품에서 처음으로 단일 전자 스핀의 세만 분열을 관측하고 처음으로 자기 공명 기술을 통해 단일 전자 스핀에 대한 플립 및 측정을 완료했다;오랜 공관을 거쳐 축적형 실리콘 부품에서 안정적으로 제어가 가능한 단일전자 양자점을 발전시켰고, 실리콘에서 단일 전자 스핀의 몰리브덴 예시간(T1)을 최초로 측정해 실리콘에서 단일 전자 스핀 수명이 길다는 것을 부분적으로 검증함으로써 긴 수명의 단일 전자 스핀 양자 비트의 장점을 구현할 수 있을 것으로 기대된다;초고속, 보적의 단일 전자 전하 양자 비트의 상간 조종 방법을 개발하여 단일 전하 양자 비트의 조종과 양 양자 비트의 통제된 비문(非門)을 구현한다.Nature, Nature Communications, Physical Review Letters 등 학술지에 논문 30여 편을 게재했으며 SCI에 약 400여 회 인용됐다.기금위면 상기금과 과기부 973과 중과원 선도사업 B 참여 등 국가 주요 연구계획을 주관한다.
 
학문적 경험:
1992/9~1996/7 화중이공대 소년반 본과
1996/9~1999/7 칭화대 현대 응용물리학과 석사
1999/9 ~ 2004/12 미국 UCLA(UCLA) 물리학 및 천문과 박사
2005/1 ~ 2010/12 미국 UCLA 박사후
2011/1~현재 중국과학기술대학 중과원 양자정보중점 연구소 교수
 
연구 방향:
반도체 양자점 부품의 양자송출 및 양자컴퓨팅에 관한 연구
 
워크샵 프로젝트를 주관하려면 다음과 같이 하십시오.
1.축적형 비소화 갈륨 게이트형 퀀텀닷 기반 솔리드 스테이트 퀀텀 비트 11174267 기금 위 항목
 
최근의 대표적인 논문:
1. Hai-Ou Li, Gang Cao, Guo-Dong Yu, Ming Xiao, Guang-Can Guo, Hong-Wen Jiang, Guo-Ping Guo, Conditional Rotation of Two Strongly Coupled Semiconductor Charge Qubits, Nature Communications 6, 8681(2015).
2. Hai-Ou Li, Gang Cao, Ming Xiao, Jie You, Da Wei, Tao Tu , Guang-Can Guo,Hong-Wen Jiang, and Guo-Ping Guo，Fabrication and characterization of an undoped GaAs/AlGaAs quantum dot device，Journal of Applied Physics 116, 174504 (2014)
3. M. G. House, Ming Xiao, Guo-Ping Guo, Hai-Ou Li, Gang Cao, M. M. Rosenthal, Hong-Wen Jiang， Detection and Measurement of Spin-Dependent Dynamics in Random Telegraph Signals, Physical Review Letters?111,?126803?(2013).
4. Gang Cao, Ming Xiao, Hai-Ou, Li, Cheng Zhou, Ru-Nan Shang, Tu Tao, Hong-Wen Jiang, Guo-Ping Guo, Back-action-driven electron spin excitation in a single quantum dot, New Journal of Physics 15, 023021 (2013).
5. Gang Cao, Hai-Ou Li, Tu Tao, Li Wang, Cheng Zhou, Ming Xiao, Guang-Can Guo, Hong-Wen Jiang, Guo-Ping Guo, Ultrafast universal quantum control of a quantum-dot charge qubit using Landau-Zener-Stuckelberg interference, Nature Communications, 4, 1401 (2013).
6. M Xiao, M G House, H W Jiang*, Measurement of the Spin Relaxation Time of Single Electrons in a Silicon Metal-Oxide-Semiconductor-Based Quantum Dot, PHYSICAL REVIEW LETTERS, 104, 096801(2010).
7. M Xiao, I Martin, E Yablonovitch, H W Jiang*, Electrical detection of the spin resonance of a single electron in a silicon field-effect transistor, Nature 430 435-439 (2004).