刘剑

人物履历
1988年吉林大学毕业后加入中国科学院半导体所，先后参加了“七五”国家、科学院重大基金项目，“八五”攀登计划项目“低维半导体量子输运”相关课题的研究工作；
1995年5月赴奥地利维也纳技术大学固态电子学研究所做访问学者；
1997年3月赴英国伯明翰大学物理系学习并获硕士学位；
1998年5月开始在德国亚琛工业大学、维尔茨堡大学物理系学习和工作，
2003年获维尔兹堡大学自然科学博士学位并从事博士后研究工作；
2005年3月起任中国科学院半导体研究所研究员
 
研究领域
图像传感器及微纳米结构制作工艺技术。
 
科研成果
1.半导体低维电子系统的输运现象及其在新型量子器件方面的应用：研究GaAs/AlAs双势垒中的G-C电子态混合引起的磁隧穿振荡，GaAs/AlGaAs短周期超晶格中微带输运与Si杂质相关输运之间的一种新Fano共振隧穿机制，朗道能级间的级联共振隧穿现象及THz源应用。
2.发展了以微制作工艺手段获得金属纳米团簇线的方法，研究金属纳米团簇在室温单电子器件方面的应用；成功制作了小于50纳米的金点接触结，研究金属、Spin-glass纳米点接触相关输运现象，观察到声子谱和杂质相关的零偏压电导异常。
3.窄禁带稀释磁性半导体微结构的自旋输运：研究HgTe/HgCdMnTe量子阱中Mn相关的Rashba自旋-轨道耦合效应增强现象，HgMnTe磁性二维电子气中Rashba效应、塞曼分裂和交换作用的竞争机制以及奇数填充的反常量子霍尔效应。
4.NiMnSb半金属薄膜材料的自旋输运和TMR器件研究，CoFe/AlO/NiMnSb器件室温TMR达8.7%。
5.研究CMOS图像传感器消除图像拖尾现象、降低噪声的物理机制。